网课铺 2021-01-17 10:44
常用半导体器件 第一单元测验
1、 问题:在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。（ ）
选项：
A:五价，三价
B:四价，五价
C:三价，五价
D:四价，三价
答案: 五价，三价
2、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ ）。
选项：
A:温度
B:掺杂工艺
C:杂质浓度
D:晶体缺陷
答案: 杂质浓度
3、 问题:当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ ）。
选项：
A:增大
B:减小
C:不变
D:不能确定
答案: 增大
4、 问题:半导体中有（ ）种载流子。
选项：
A:4
B:2
C:1
D:不确定
答案: 2
5、 问题:Si二极管的正向导通压降约为（ ）。
选项：
A:0.5V
B:0.2V
C:0.3V
D:0.7V
答案: 0.7V
常用半导体器件（续）
1、 问题:N沟道增强型MOS场效应管在( )条件下，才会形成导电沟道。
选项：
A:UGS=0
B:UGS>UGS(th)
C:UGS>0
D:UGS<0
答案: UGS>UGS(th)
2、 问题:放大状态下的晶体管三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ ）。
选项：
A:e、b、c
B:e、c、b
C:c、b、e
D:b、e、c
答案: e、b、c
3、 问题:测得一放大电路中某晶体管三个极的直流电位为12V、11.3V和0V，该晶体管的类型为（ ）。
选项：
A:NPN型Si管；
B:PNP型Si管；
C:NPN型Ge管；
D:PNP型Ge管；
答案: PNP型Si管；
4、 问题:当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ ）。
选项：
A:前者反偏，后者也反偏；
B:前者正偏，后者反偏；
C:前者正偏，后者也正偏；
D:不能确定；
答案: 前者正偏，后者反偏；
5、 问题:晶体管各极电压为VB=1.8V，VE=0V，VC=12V，则该管工作在（ ）状态。
选项：
A:截止
B:饱和
C:放大
D:已损坏
答案: 已损坏
6、 问题:结型场效应管和MOS场效应管的工作区有（ ）。
选项：
A:放大区
B:夹断区
C:可变电阻区
D:恒流区
答案: 夹断区;
可变电阻区;
恒流区
7、 问题:MOS场效应管结构上由金属、氧化物和半导体三部分組成。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
8、 问题:结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
9、 问题:三极管的特征频率fT 点对应的β为 。
答案: 1
10、 问题:若用结型场效应管构造放大电路，应使其工作在 区。
答案: 恒流
基本放大电路-1
1、 问题:放大的基本要求是（ ）。
选项：
A:不失真
B:能量的控制
C:功率放大
D:与电路有关
答案: 不失真
2、 问题:在放大电路中放大的特征是（ ）。
选项：
A:功率放大
B:能量的控制
C:不失真
D:变化量
答案: 功率放大
3、 问题:放大电路的性能指标有（ ）。
选项：
A:放大倍数
B:输入电阻和输出电阻
C:通频带
D:最大不失真输出电压
答案: 放大倍数;
输入电阻和输出电阻;
通频带;
最大不失真输出电压
4、 问题:由NPN管组成的共射放大电路中，若Q点对应的UCEQ值偏大，容易出现（ ）失真。
选项：
A:截止
B:顶部
C:底部
D:饱和
答案: 截止;
顶部
5、 问题:可以说任何放大电路都有功率放大作用。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
6、 问题:放大电路中输入信号和输出信号肯定是同相位的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
7、 问题:通频带或中频段是指下限截止频率和 之间的频率范围。
答案: 上限截止频率
8、 问题:根据信号源与放大电路、放大电路与负载之间的连接方式可把放大电路分成 放大电路 和 阻容耦合放大电路。
答案: 直接耦合
基本放大电路-2
1、 问题:下列电路中，高频特性最好的电路是（ ）。
选项：
A:共射电路
B:共基电路
C:共集电路
D:放大电路
答案: 共基电路
2、 问题:在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是：( )。
选项：
A:共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
B:共发射极电路的AV最大、RI最小、RO最小
C:共基极电路的AV最小、RI最小、RO最大
D:共发射极电路的AV最小、RI最大、RO最大
答案: 共集电极电路的AV最小、RI最大、RO最小
3、 问题:下列电路中，有电压放大作用的电路是（ ）。
选项：
A:共射电路
B:共集电路
C:放大电路
D:共基电路
答案: 共射电路;
共基电路
4、 问题:下列电路中，有电流放大作用的电路是（ ）。
选项：
A:共射电路
B:共基电路
C:放大电路
D:共集电路
答案: 共射电路;
共集电路
5、 问题:因为稳定静态工作点电路中Re起直流负反馈作用，其值越大，反馈越强，Q点越稳定，所以Re的阻值没有上限。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
6、 问题:放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
7、 问题:画直流通路时，信号源 ，电容开路。
答案: 短路
8、 问题:画交流通路时，直流源 ，电容短路。
答案: 短路
放大电路的频率响应
1、 问题:测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是（ ）。
选项：
A:输入电压频率不变，改变幅值
B:输入电压的幅值与频率同时变化
C:输入电压幅值不变，改变频率
D:输入大信号
答案: 输入电压幅值不变，改变频率
2、 问题:放大电路在高频信号作用时，放大倍数数值下降的原因是（ ）。
选项：
A:耦合电容和旁路电容的存在
B:半导体管极间电容和分布电容的存在
C:半导体管的非线性特性
D:放大电路的静态工作点不合适
答案: 半导体管极间电容和分布电容的存在
3、 问题:当信号频率等于放大电路的 fL 或 fH 时，放大倍数的值约下降到中频时的 （ ）。
选项：
A:0.707
B:0.5
C: 0.9
D:0.2
答案: 0.707
4、 问题:对于单管共射放大电路，当f = fL 时， U o 与 U i 相位关系是（ ） 。
选项：
A:- 135°
B:+ 45°
C:- 90°
D:- 180°
答案: - 135°
5、 问题:对于单管共射放大电路，当f = fH 时，U o 与 U i 的相位关系是（ ） 。
选项：
A:- 225 °
B:- 45°
C:- 135 °
D:- 180 °
答案: - 225 °
6、 问题:放大电路在低频信号作用时，放大倍数数值下降的原因是 ( )。
选项：
A:放大电路的静态工作点不合适
B:半导体管的非线性特性
C:半导体管极间电容和分布电容的存在
D:耦合电容和旁路电容的存在
答案: 耦合电容和旁路电容的存在
7、 问题:晶体管在高频时的结构模型由（ ）组成。
