网课铺 2021-01-11 20:39
第1章 绪 论 绪论测验题
1、 问题:当输入信号频率为fL或fH时，放大电路电压增益的幅值约下降为通带内水平增益的 。
选项：
A:0.5倍
B:0.7倍
C:0.9倍
D:1倍
答案: 0.7倍
2、 问题:某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入3kW的负载电阻后，输出电压为3V。说明放大电路的输出电阻为 。
选项：
A:10 kW
B:2 kW
C:1kW
D:0.5kW
答案: 1kW
3、 问题:已知某信号源内阻为1kW，未接放大电路时测得信号源电压为10mV，接入放大电路后测得放大电路输入端口电压为8mV，说明放大电路的输入电阻为 。
选项：
A:5 kW
B:4 kW
C:2kW
D:1kW
答案: 4 kW
4、 问题:已知某放大电路的最大不失真输出电压范围是－10V～＋10V，若放大电路的通带电压增益是40dB，则放大电路不失真放大时的输入电压范围是 。
选项：
A:－0.1V～＋0.1V
B:－0.25V～＋0.25V
C:－0.5V～＋0.5V
D:－1.0V～＋1.0V
答案: －0.1V～＋0.1V
5、 问题:信号不失真的放大在时域中表现为任何一点的幅值放大的程度完全相同。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：也就是在时域波形中任何一点的幅值放大的倍数完全相同，否则信号会失真。
6、 问题:只要放大电路的传输特性曲线是线性的，就不会出现失真现象。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：传输特性曲线无法反映不同频率信号输入和输出的关系，也就是说，传输特性曲线是线性的，也可能会有线性失真（频率失真）。
7、 问题:用放大电路放大正弦波信号时，只有可能出现非线性失真，不可能出现频率失真。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：只有复合频率的信号通过放大电路时才会出现频率失真，正弦信号是单频率信号，所以不会出现频率失真，但会出现由于放大电路非线性关系导致的非线性失真。
8、 问题:放大电路的增益只能保证在一定频率范围内与频率无关。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：放大电路只有在通带之内，增益才基本和频率无关，超过通带的频率范围，放大电路的增益就会下降。
9、 问题:放大电路中的符号“^”表示接大地的“地”。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：放大电路中的地符号表示电路中的公共参考点，定义为零点位，不一定是大地的地。
10、 问题:放大电路输出信号增加的能量来自放大电路的工作电源。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：能量不能无中生有，输出信号中增加的能量来自放大电路的电源，所以放大电路也称为能量控制部件。
11、 问题:同一个放大电路对不同信号源或带不同负载时，实际的放大能力常常是不同的。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于放大电路的输入电阻通常不是无穷大或零，输出电阻也不会是零或无穷大，所以对于不同的非理想信号源和不同的负载，放大电路的实际增益会有不同。也就是说，在实际信号放大过程中，放大电路的实际增益与输入电阻和输出电阻有关。
12、 问题:放大电路只有电压增益、电流增益、互阻增益和互导增益四种增益形式。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：还有功率增益。
第2章 运算放大器 运算放大器测验题
1、 问题:理想运算放大器的参数是开环电压增益Avo = ，输入电阻ri = ，输出电阻ro = 。
选项：
A:0，∞，∞
B:∞，0，∞
C:∞，0，0
D:∞，∞，0
答案: ∞，∞，0
2、 问题: 放大电路中，运算放大器的反相输入端为虚地，而 放大电路中，运算放大器的两个输入端对地电压是不为零的。
选项：
A:同相，反相
B:反相，同相
C:同相，同相
D:反相，反相
答案: 反相，同相
3、 问题:欲将方波电压转换为三角波电压，应选用 。
选项：
A:反相输入式放大电路
B:同相输入式放大电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
E:加法运算电路
答案: 积分运算电路
4、 问题:欲将方波电压转换为尖脉冲电压，应选用 。
选项：
A:反相输入式放大电路
B:同相输入式放大电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
E:加法运算电路
答案: 微分运算电路
5、 问题:欲将输入电压信号放大-100倍，应选用 。
选项：
A:反相输入式放大电路
B:同相输入式放大电路
C:积分运算电路
D:微分运算电路
E:同相加法运算电路
答案: 反相输入式放大电路
6、 问题:电路如图8所示，假设运算放大器是理想的，则图（a）Av = vO/vI = ，Ri = ；图（b）Av = vO/vI = ，Ri = 。
选项：
A:图（a）Av =11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
B:图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =1 kΩ
C:图（a）Av = 11，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
D:图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
答案: 图（a）Av = -10，Ri =1 kΩ；图（b）Av＝1；Ri =∞
7、 问题:电路如图9所示，假设运算放大器为理想的，那么vO = f(vI) = 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
8、 问题:理想运算放大器构成的电路如图10所示，
= 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
9、 问题:加减法运算电路如图11所示，设运算放大器是理想的，则输出电压和输入电压的关系式为 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
10、 问题:电路如图12所示，假设运算放大器均为理想的，则
= 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
11、 问题:电路如图13所示，开关S闭合时电路增益
＝ ；开关S断开时电路增益
＝ 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
12、 问题:在运算放大器构成的线性运算电路中一般均引入负反馈。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于运算放大器的开环电压增益近似无穷大，而输出是有限值，导致输入线性区很窄，无法满足输入信号幅值范围要求，通过引入负反馈来解决这个问题。
13、 问题:在线性运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：在同相放大电路中，运放的反相输入端不是虚地。
14、 问题:集成运放在开环情况下一般都工作在非线性区。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于集成运算放大器的开环增益近似为无穷大，因此开环情况下，线性区很窄，一般的输入信号都会使运放的输出进入饱和区。
15、 问题:放大电路中的运算放大器只要是理想的，就一定存在虚短和虚断。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：电路还必须工作在线性区才行。
16、 问题:电压跟随器的电压增益为1，所以其对信号放大没有贡献。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：由于实际增益与放大电路的输入电阻和输出电阻有关，而电压跟随器的输入电阻趋于无穷大，输出电阻趋于零，从而对实际增益做出贡献。利用输入输出电阻特性，电压跟随器常用作隔离器和缓冲器。
第3章 二极管及其基本电路 二极管及其基本电路测验题
1、 问题:半导体中空穴的移动实际上反映了半导体中 的移动。
选项：
A:自由电子
B:共价键中价电子
C:正离子
D:负离子
答案: 共价键中价电子
2、 问题:N型半导体中的多数载流子是 ，而P型半导体中的多数载流子是 。
选项：
A:自由电子，空穴
B:空穴，自由电子
C:自由电子，正离子
D:空穴，负离子
E:空穴，正离子
F:自由电子，负离子
答案: 自由电子，空穴
3、 问题:PN结内电场方向是由 。
选项：
A:N区指向P区
B:P区指向N区
C:不确定
D:与外加电压有关
答案: N区指向P区
4、 问题:PN结正偏是指 。
选项：
A:N区电位高于P区
B:P区电位高于N区
C:P区和N区电位相等
D:与外加电压无关
答案: P区电位高于N区
5、 问题:二极管正偏时应重点关注 ，反偏时应重点关注 。
选项：
A:导通电流和耗散功率，最大反向电压
B:最高工作频率，最大反向电压
C:最高工作频率，导通电流和耗散功率
D:结电容，最高工作频率
E:最大反向电压，结电容
答案: 导通电流和耗散功率，最大反向电压
6、 问题:齐纳二极管正常稳压时，工作在 状态。
选项：
A:正向导通
B:反向截止
C:反向击穿
D:放大
答案: 反向击穿
7、 问题:点亮发光二极管应加 ，光电二极管正常工作时应加 ，变容二极管正常工作时应加 。
选项：
A:正偏电压，反偏电压，反偏电压
B:正偏电压，反偏电压，零偏压
C:反偏电压，正偏电压，正偏电压
D:反偏电压，正偏电压，反偏电压
E:正偏电压，正偏电压，反偏电压
答案: 正偏电压，反偏电压，反偏电压
8、 问题:已知某二极管处于正向导通状态，其导通电流为0.5 mA，那么，此时二极管在室温（300K）下的小信号模型参数rd = 。
选项：
A:19.2 kΩ
B:1 kΩ
C:52 kΩ
D:52 Ω
答案: 52 Ω
9、 问题:设简单硅二极管基本电路如图所示，已知R = 1kW。当VDD =10V时，分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 ；当VDD =1V时，再分别应用理想模型和恒压降模型，求得的电流ID分别为 和 。
选项：
A:10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
B:10mA，1mA；9.3mA，3mA
C:1mA，0.93mA；0.1mA，0.03mA
D:10mA，0.93mA；1mA，0.03mA
答案: 10mA，9.3mA； 1mA，0.3mA
10、 问题:12V电池的充电电路如图所示，用二极管理想模型分析，若vs是振幅为24V的正弦波，则二极管流过的峰值电流为 ，二极管两端的最大反向电压为 。
选项：
A:240mA，24V
B:120mA，12V
C:120mA，36V
D:360mA，36V
答案: 120mA，36V
11、 问题:电路如图所示，若vs是有效值为220V的正弦波电压，RL = 100W，二极管采用理想模型分析，则二极管的最高反向工作电压为 ，整流电流应为 。
选项：
A:220V，0.99A
B:220V，2.2A
C:
D:
答案:
12、 问题:电路如图所示，D1，D2为硅二极管，当vs = 6sinwt V时，用恒压降模型分析电路时，输出电压vO的波形是 。
选项：
A:
B:
C:
D:
答案:
13、 问题:二极管电路如图所示。输入电压只有0V或5V两个取值。利用二极管理想模型分析，在vI1和vI2电压的不同组合情况下，输出电压vO的值是 。
选项：
A:vO的a列
B:vO的b列
C:vO的c列
D:vO的d列
答案: vO的b列
14、 问题:电路如图所示，D为硅二极管，若VDD = 2 V，R = 1 kW，正弦信号vs=50sin(2p´50t) mV。则静态（即vs= 0）时，二极管中的静态电流为 ，vO的静态电压 ；动态时，vO的交流电压振幅为 。
选项：
A:2mA，2V；0.05V
B:1.3mA，1.3V；0.05V
C:2mA，2V；0.049V
D:1.3mA，1.3V；0.049V
答案: 1.3mA，1.3V；0.049V
15、 问题:稳压电路如图所示。若VI =10V，R =100W，齐纳二极管的VZ =5V，IZ(min)=5mA，IZ(max)=50mA，那么负载RL的变化范围是 。
选项：
A:大于111W
B:小于111W
C:大于111kW
D:小于111kW
答案: 大于111W
16、 问题:半导体二极管温度升高时，将明显增大由本征激发出的少数载流子的浓度，因此对二极管反向截止特性会产生更明显的影响。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：由于反向截止特性主要与少数载流子有关，所以受影响最明显。
17、 问题:对于实际的二极管，只要正偏电压大于零，二极管就导通。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：对于实际的二极管，一般门槛电压都不是零，因此必须满足正偏电压大于这个门槛电压，二极管才会导通。
18、 问题:二极管简化模型将二极管的I-V非线性特性近似成了线性或分段线性的关系。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：引入二极管简化模型的目的就是要将原本非线性关系简化为线性关系，以便用较简单的线性电路分析方法来分析二极管电路。
19、 问题:通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：通常硅二极管的正向导通压降大于锗二极管的正向压降。
20、 问题:在使用齐纳二极管时，必须加限流电阻。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 正确
分析：使用齐纳二极管稳压时，输入电压一般大于齐纳二极管的稳定电压，必须串接限流电阻，以便控制二极管中的电流不超过最大允许电流。
第4章 场效应管及其放大电路 场效应管及其放大电路测验题
1、 问题:场效应管利用外加电压产生的来控制漏极电流的大小，因此它是控制器件。
选项：
A:电流，电场
B:电场，电压
C:电流，电压
D:电压，电流
答案: 电场，电压
2、 问题:N沟道场效应管的漏极电流由的漂移运动形成。
选项：
A:空穴
B:电子
C:电子和空穴
D:正离子
E:负离子
答案: 电子
3、 问题:P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是。
选项：
A:正值
B:负值
C:零值
D:不确定的
答案: 负值
4、 问题:一个MOS场效应管的转移特性如图所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向），它是场效应管。
选项：
A:N沟道耗尽型
B:N沟道增强型
C:P沟道增强型
D:P沟道耗尽型
答案: P沟道增强型
5、 问题:在共源、共漏和共栅三种放大电路组态中，放大电路电压增益小于1但接近于1，输入输出电压同相，有电压跟随作用；放大电路电压增益较高，输入输出电压反相；放大电路输入输出电压同相，有电流跟随作用；放大电路输出电阻小；放大电路输入电阻小。
选项：
A:共漏，共源，共栅，共漏，共栅
B:共源，共漏，共栅，共漏，共栅
C:共漏，共栅，共源，共漏，共栅
D:共漏，共栅，共漏，共源，共栅
答案: 共漏，共源，共栅，共漏，共栅
6、 问题:用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大。当输出端开路时，A和B的输出电压相等；当都接入负载电阻RL时，测得A的输出电压小于B的输出电压，由此说明，电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
选项：
A:大
B:小
C:相等
D:不能确定
答案: 大
7、 问题:在图示电路中，已知各MOS管的çVT ç=0.5V，MOS管处于截止状态的电路是。
选项：
A:图（a）
B:图（b）
C:图（c）
D:图（a）和图（b）
E:图（b）和图（c）
F:图（a）和图（c）
答案: 图（b）
8、 问题:当栅源电压为0V时，MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流。
选项：
A:N沟道耗尽型
B:N沟道增强型
C:P沟道耗尽型
D:P沟道增强型
答案: N沟道耗尽型
9、 问题:试分析图示各电路，能正常放大交流信号的电路是（设各电容对交流信号的容抗可忽略）。
选项：
A:图（a）
B:图（b）
C:图（c）
D:图（d）
答案: 图（b）
10、 问题: 设图(a)电路中各电容很大对交流信号均可视为短路，则其小信号等效电路为。
选项：
A:图（b）
B:图（c）
C:图（d）
D:图（b）和图（d）
答案: 图（d）
11、 问题:已知电路参数如图(a)所示，FET工作点上的互导gm＝1mA/V，设rds＞＞Rd，则该电路的小信号等效电路是，电压增益为，输入电阻为。
选项：
A:图(c)，-10，2075 kW
B:图(b)，-3.3，2075 kW
C:图(b)，-10，2075 kW
D:图(c)，-3.3，2075 kW
答案: 图(b)，-3.3，2075 kW
12、 问题:电路如图所示。设电流源电流I＝0.5mA、VDD＝VSS＝5V，Rd＝9kΩ，CS很大，对信号可视为短路。场效应管的VT＝0.8V，Kn＝1
，l = 0。则场效应管的gm » ，电路的小信号电压增益约为 。
选项：
A:1.42 mA/V，12.78
B:3.02 mA/V，-27.2
C:1.42 mA/V，-12.78
D:3.02 mA/V，-12.78
答案: 1.42 mA/V，-12.78
13、 问题:源极跟随器电路如图所示，场效应管参数为Kn＝1
，VTN＝1.2/V，l=0。电路参数为VDD＝VSS＝5V，Rg＝500kΩ，RL＝4kΩ。若电流源I=1mA，则小信号电压增益约为，输出电阻约为。
选项：
A:8，0.5kW
B:0.89，0.5kW
C:0.89，2W
D:1，2W
答案: 0.89，0.5kW
14、 问题:图示电路参数为I＝0.5mA，VDD＝VSS＝5V，Rg＝100 kΩ，Rd=10kΩ， Rsi＝1kΩ。场效应管参数为VTN＝1V，Kn＝0.5
，λ＝0。那么电路的输入电阻约为，源电压增益Aυs＝υo/υs =__，输出电阻约为。
选项：
A:2 kW，5，10kW
B:0.5kW，-5，10kW
C:1 kW，-5，10kW
D:1 kW，5，10kW
答案: 1 kW，5，10kW
15、 问题:放大电路的静态是指输入端短路时的状态。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：放大电路的静态指的是输入信号为零时的状态。准确地说，当信号源是电压源时，是将电压信号源短路，但保留其内阻；如果信号源是电流源，则是将电流信号源开路，同样也要保留其内阻。
16、 问题:小信号模型中所研究的电压、电流都是变化量，因此，不能用小信号模型来求静态工作点Q，模型参数大小也与Q点位置无关。
选项：
A:正确
B:错误
答案: 错误
分析：不能用小信号模型来求静态工作点Q是对的，但是小信号模型的参数和直流
